光刻

光刻是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。

应用材料：

● 硅片，玻璃，蓝宝石，柔性材料等

接触式光刻：

● 最小图形尺寸：2μm，套刻精度：±0.5μm

步进式光刻：

● 投影比例1:5，最小图形尺寸：0.35μm ，套刻精度≤0.15μm(X,Y)，曝光范围<22*22mm

电子束光刻：

● 最小图形尺寸：10nm，套刻精度：40nm，曝光范围 < 直径100mm

双面对准光刻：

● 最小图形尺寸：2μm，正面套刻精度：±0.5μm，背面套刻精度：±1μm