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是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。

它是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，它是通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称。苏州博研掌握离子束刻蚀（IBE）、深硅刻蚀（DRIE）、反应离子刻蚀（RI

一般是在真空环境下，将某种金属或非金属以气相的形式沉积到材料表面，形成一层致密的薄膜，镀膜质量对半导体器件的功能形成至关重要。苏州博研掌握电子束蒸发、磁控溅射、LPCVD、PECVD、原子层沉积等多种镀膜技术。

将两片表面清洁、原子级平整的同质或异质半导体材料经表面清洗和活化处理，在一定条件下直接结合，通过范德华力、分子力甚至原子力使晶片键合成为一体的技术。

外延一般是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层。新淀积的这层称为外延层。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性，例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廊，而这些因素是与硅片衬底无关的。这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。

通常在晶片封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度，这一工艺过程称之为晶片减薄。 抛光是指利用机械、化学或电化学的作用，使晶圆等工件表面粗糙度降低，以获得光亮、平整表面的加工方法。是利用抛光工具和磨料颗粒或其他抛光介质对工件表面进行的修饰加工。

有时也叫“划片”，切割的目的是将整个晶圆上每一个独立的IC/MEMS通过激光或者高速旋转的金刚石刀片切割开来，以便在后续的封装中对单个IC／MEMS进行粘贴、键合等操作。

“打孔”可以适用于各种材料的微孔，应用于LED芯片制造，触摸屏，LCD，消费类电子，半导体，MEMS，照明，医疗等行业等。

就是利用电解原理在某些金属表面上镀上一薄层其它金属或合金的过程，是利用电解作用使金属或其它材料制件的表面附着一层金属膜的工艺从而起到防止金属氧化（如锈蚀），提高耐磨性、导电性、反光性、抗腐蚀性（硫酸铜等）及增进美观等作用。

SEM/TEM/AFM/STM

光刻掩膜版基板材料:苏打玻璃 石英 菲林版工艺能力:苏打版精度±0.3um 石英版精度±0.1um基板尺寸:3/4/5/6/7/9 可定制

产品名称：试剂瓶、棉签、无尘纸、头套、手套、口罩、无尘服等