行业知识

各领域需求剧增，市场空间大从2019年中国MEMS市场结构来看，网络与通信、计算机和消费电子合计占比50%，汽车领域占比29%，伴随着新能源车的需求增长，物联网

MEMS处理的基本要素之一是能够沉积厚度在1微米到100微米之间的材料薄膜。尽管膜沉积的测量范围从几纳米到一微米，但NEMS的过程是相同的。沉积方法有两种，如下

大多数MEMS器件由具有高深高比和小型易碎移动部件的3D结构组成。因此，制造工艺需要厚光刻胶工艺、表面保形涂层以及出色的曝光和对准能力。EVG除了提供标准的紫外

产品需要经过六次光刻及腐蚀，分别是正面声孔区、背面腔孔区、正面二氧化硅、正面多晶硅、正面孔、正面铝。下面介绍在光刻及刻蚀工艺的改进方面。（1）正面声孔区光刻：光

1）旋涂。圆片被固定在旋转的台面上，光刻胶被点在圆片的中心位置。然后圆片高速旋转，光刻胶在离心力的作用下向圆片的边缘移动。当圆片停止旋转时，光刻胶会以均匀的厚度

蒸发涉及将源材料加热至高温，产生蒸气并在基材上凝结形成薄膜。几乎任何元素（例如 Al、Si、Ti、Au），包括许多高熔点（难熔）金属和化合物（例如 Cr、Mo、

在溅射沉积中，由待沉积材料制成的靶材在压力为 0.1–10 Pa 的真空室中受到惰性气体离子流（通常是氩气Argon）的物理轰击。来自靶材的原子或分子被喷射并沉

高品质非晶态二氧化硅是通过在干燥氧气或高温蒸汽（850℃ - 1150℃）下氧化硅而获得的。硅的热氧化在二氧化硅薄膜层中产生压应力。产生应力的原因有两个：二氧化

外延是一种在硅晶圆上生长晶体硅（crystalline silicon）层的沉积方法，但具有不同的掺杂剂类型和浓度。外延层的厚度通常为 1 至 20 μm。它表

硅的湿法各向异性刻蚀是最早开发的微加工技术，湿法刻蚀是利用被刻蚀材料与刻蚀溶液发生化学反应进行刻蚀，而干法深刻蚀是利用深反应离子刻蚀（DRIE）进行硅的各向异性