是平面型晶体管和集成电路生产中的一个主要工艺。是对半导体晶片表面的掩蔽物(如二氧化硅)进行开孔，以便进行杂质的定域扩散的一种加工技术。

它是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，它是通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称。苏州博研掌握离子束刻蚀（IBE）、深硅刻蚀（DRIE）、反应离子刻蚀（RIE）、聚焦离子束刻蚀（FIB）、电感耦合（ICP）等离子刻蚀等多种刻蚀方式。

一般是在真空环境下，将某种金属或非金属以气相的形式沉积到材料表面，形成一层致密的薄膜，镀膜质量对半导体器件的功能形成至关重要。苏州博研掌握电子束蒸发、磁控溅射、LPCVD、PECVD、原子层沉积等多种镀膜技术。

将两片表面清洁、原子级平整的同质或异质半导体材料经表面清洗和活化处理，在一定条件下直接结合，通过范德华力、分子力甚至原子力使晶片键合成为一体的技术。