刻蚀

刻蚀，它是半导体制造工艺、微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。刻蚀是用化学或物理方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程，它是通过溶液、反应离子或其它机械方式来剥离、去除材料的一种统称。苏州博研掌握离子束刻蚀（IBE）、深硅刻蚀（DRIE）、反应离子刻蚀（RIE）、聚焦离子束刻蚀（FIB）、电感耦合（ICP）等离子刻蚀等多种刻蚀方式。

刻蚀化药：

● 碱性：KOH，TMAH

● 酸性：HF，BOE，HCI，HNO3等

刻蚀材料：

● 硅、氧化硅、氮化硅、金属、石英等材料

刻蚀技术：

● 离子束刻蚀（IBE）：用于较难刻蚀的金属或其他物质

● 深硅刻蚀（DRIE）：刻蚀均匀性<±5%，选择比＞50:1

● 反应离子刻蚀（RIE）：刻蚀Si，SiO₂，SiNx等

● 聚焦离子束刻蚀（FIB）：可对材料和器件进行刻蚀、沉积、掺杂等微纳加工

● 电感耦合（ICP）等离子刻蚀：刻蚀GaN，GaAs，InP等材料