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外延与掺杂

外延与掺杂

外延一般是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层。新淀积的这层称为外延层。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性,例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廊,而这些因素是与硅片衬底无关的。这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。

外延一般是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层。新淀积的这层称为外延层。外延为器件设计者在优化器件性能方面提供了很大的灵活性,例如可以控制外延层掺杂厚度、浓度、轮廊,而这些因素是与硅片衬底无关的。这种控制可以通过外延生长过程中的掺杂来实现。

外延与掺杂技术:

● 金属有机物化学气相沉积:GaNGaAs

● 化学气相沉积:SIC

● 离子注入:BPFAlNArHHeSi

高温氧化

高温扩散/退火

快速退火


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