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减薄与抛光

减薄与抛光

通常在晶片封装前,需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度,这一工艺过程称之为晶片减薄。 抛光是指利用机械、化学或电化学的作用,使晶圆等工件表面粗糙度降低,以获得光亮、平整表面的加工方法。是利用抛光工具和磨料颗粒或其他抛光介质对工件表面进行的修饰加工。

通常在晶片封装前,需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度,这一工艺过程称之为晶片减薄。

抛光是指利用机械、化学或电化学的作用,使晶圆等工件表面粗糙度降低,以获得光亮、平整表面的加工方法。是利用抛光工具和磨料颗粒或其他抛光介质对工件表面进行的修饰加工。

减薄:

SiGaAsGaNInP,玻璃,蓝宝石,陶瓷等

均匀性:

● ±2um

抛光:

SiGaAsGaNInP,玻璃,蓝宝石,陶瓷等

表面粗糙度:

1-50nm


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