氧化工艺

高品质非晶态二氧化硅是通过在干燥氧气或高温蒸汽（850℃ - 1150℃）下氧化硅而获得的。

硅的热氧化在二氧化硅薄膜层中产生压应力。产生应力的原因有两个：二氧化硅分子比硅原子占据更大的体积，以及硅和二氧化硅的热膨胀系数不匹配。应力取决于二氧化硅层的总厚度，可以达到数百MPa。结果，热生长的氧化膜导致下面的衬底弯曲/翘曲（bowing）。此外，由热生长氧化硅制成的独立式薄膜和悬臂梁（一种MEMS结构）由于薄膜厚度上的应力变化而容易变形或卷曲。