掩膜版（Mask），是在透明的熔融石英或钠钙玻璃基板上，构建一层含有图案的不透明层，如铬、或氧化铁层制成。掩膜版上的图案是使用计算机辅助设计（CAD）工具生成的，并通常通过电子束或激光束等技术转移到不透明层中。完整的MEMS / IC加工中，通常涉及使用不同的掩膜版，进行多次光刻操作。

光刻胶（Photoresist）是一种光敏有机树脂材料，它通过前文所述的旋涂工艺（Spin-on）沉积在晶圆上，典型厚度在0.5µm至10µm之间。特殊类型的光刻胶可以旋转至超过200µm 的厚度，但较厚的光刻胶对曝光和关键尺寸（如较小的线宽）提出了较大挑战。

光刻胶含有正性（Positive）或负性（Negative） 敏化剂成分。对于正性光刻胶，其敏化剂可防止未曝光的光刻胶在浸入显影液期间溶解。暴露在 200 至 450 nm 范围内的光（紫外线，也有更高频率的光）下会分解敏化剂，导致曝光区域立即溶解在显影液中。负性光刻胶中发生的过程恰恰相反——曝光区域保留，未曝光区域溶解在显影剂中。