光学曝光，有三种不同模式：接触（Contact）、接近（Proximity）或投影（Projection）。在接触模式的光刻中，掩膜版接触晶圆。这通常会缩短掩膜版的寿命，并在晶圆和掩膜版上留下不需要的光刻胶残留物。在接近模式的光刻中，掩膜版距离光刻胶表面25至50µm以内。在投影模式的光刻中，通过复杂的光学器件将掩膜版的图像投影到晶圆上。

分辨率（Resolution）定义为光学系统可以解析的最小特征，很少成为微加工应用的限制。这里通常会提到一个菲涅耳衍射（Fresnel diffraction）的概念，主要是指掩膜版上的图形非常小，光波在这种情况下透过孔径会发生衍射。

所以，对于接近模式的光刻系统，分辨率被菲涅耳衍射限制为最小值约5µm。在接触系统中，分辨率约为1至2µm。而对于投影系统，分辨率由 0.5×λ/NA给出，其中λ是波长（~400nm或更高），NA是光学器件的数值孔径（对于 MEMS 中使用的步进器，数值孔径约为0.25），投影系统光刻的分辨率通常优于1µm。

在接近模式下，掩膜版与光刻胶的距离在25至50µm范围内。菲涅耳衍射将分辨率和最小特征尺寸限制为~5µm。在投影模式下，复杂的光学器件将掩模成像到光刻胶上。分辨率通常优于1µm。

焦深（Depth of focus）是对光刻更严格的限制，特别是考虑到需要曝光较厚的光刻胶或适应晶圆上的几何高度变化。接触式和接近式系统的焦深很差，也受到菲涅尔衍射的限制。在投影系统中，可以通过调整焦点设置来移动图像平面，但一旦固定，该平面的焦深就会限制为 ±0.5 × λ/NA^2，也就是说，焦深通常限制在几微米。投影模式的光刻系统显然是一种优越的方法，但系统的成本可能比接近模式或接触模式的系统高得多。

虽然对于MEMS加工来说，大多数光刻系统的分辨率并不是关键限制因素，但根据应用的性质，光刻可能具有挑战性，比如涉及有挑战的光刻工艺包括：较厚光刻胶的曝光、景园地形高度变化、正面到背面图案对准等。