较厚的光刻胶通常用作深度结构蚀刻的保护掩模层，也可用作金属微结构电镀的模板。实现较厚的光刻胶涂覆基材可以通过多次旋涂应用（总计高达20µm）或通过以较慢的速度旋转特殊的粘性光刻胶溶液（高达100µm）来实现。当然，随着光刻胶厚度的增加，保持晶圆上的厚度控制和均匀性变得困难。
图案化较厚的光刻胶也是有挑战的，这是因为光刻系统的曝光焦深有限，曝光厚度超过5µm的光刻胶通常会降低最小可分辨特征尺寸，你可以想象：光刻胶内的不同深度将得到不同的成像。最终结果是曝光区域中的光刻胶沿着图形化的轮廓倾斜。出于一般准则，最大纵横比（光刻胶厚度与最小特征尺寸之比）约为三，换句话说，可实现的最小特征尺寸（例如，线宽或线之间的间距）大于光刻胶的三分之一 厚度。