MEMS处理的基本要素之一是能够沉积厚度在1微米到100微米之间的材料薄膜。尽管膜沉积的测量范围从几纳米到一微米，但NEMS的过程是相同的。沉积方法有两种，如下。
物理沉积
物理气相沉积（“ PVD”）包括将材料从靶材上去除并沉积在表面上的过程。这样做的技术包括溅射过程，在该过程中，离子束将原子从靶标中释放出来，使它们移动通过中间空间并沉积在所需的基板上；然后进行蒸发，在蒸发过程中，可以使用以下方法之一从靶标中蒸发掉材料真空系统中的热量（热蒸发）或电子束（电子束蒸发）。
化学沉积
化学沉积技术包括化学气相沉积（CVD），其中源气流在基板上反应以生长所需的材料。可以根据技术的细节将其进一步分为几类，例如LPCVD（低压化学气相沉积）和PECVD（等离子体增强化学气相沉积）。
氧化膜也可以通过热氧化技术来生长，其中（通常是硅）晶片暴露于氧气和/或蒸汽中，以生长二氧化硅的薄表面层。