大多数MEMS器件由具有高深高比和小型易碎移动部件的3D结构组成。因此，制造工艺需要厚光刻胶工艺、表面保形涂层以及出色的曝光和对准能力。EVG除了提供标准的紫外光刻设备，甚至通过纳米压印光刻(NIL)为新兴的MEMS应用提供纳米结构。此外，EVG的无掩模曝光(Maskless Exposure Technology, MLE™)技术可以实现光刻胶的动态图案化，包括单个芯片注释的可能性——这是关键的汽车和工业MEMS应用的重要特征。
针对MEMS制造，EVG光刻技术的优势主要有以下四方面：
先进光刻胶工艺
■旋涂和喷涂能力
■多层工艺
■特种光刻胶工艺
■喷射、混水、束流和超声波辅助开发
高精度掩模对准
■用于蚀刻和金属化的光刻
■最新的UV-LED技术
■高景深曝光
■键合对准
采用无掩模曝光技术(MLE™)的数字制造
■具有线空间分辨率<2μm的动态光刻胶图案化
■从芯片注释到多项目晶圆的单个图案
■无掩模数字基础设施
■从快速原型设计到大规模制造的智能和敏捷
先进光刻胶工艺
■经批量验证的晶圆级压印技术
■专有SmartNIL®技术
■领先的晶圆级光学能力
■Bio-MEMS的创新工艺