表面硅MEMS工艺是典型的薄膜工艺，其技术特点与集成电路相近，通过与集成电路集成制作的可行性最大。正因为有如此鲜明的特点，表面牺牲层工艺从其诞生起发展方向就是集成化。典型的工艺包括美国ADI公司的BiMEMS集成工艺和美国Sandia国家实验室的MM/CMOS MEMS集成工艺。
BiMEMS工艺的特点是制作可动部件的表面MEMS工艺与制作处理电路的BiMOS工艺的混合完成。这一工艺的缺点是两种工艺在同一加工线完成，需要专门的加工线，不能充分利用现有的IC Foundry线，因此成本较高，成品率受影响。为克服这一问题，美国Sandia国家实验室的MM/CMOS集成MEMS技术首先在凹槽内制作可动部件，填充SiO2后平坦化，然后再用标准CMOS工艺制作处理电路，大大改进了BiMEMS工艺的不足。然而，先制作可动部件将影响衬底片质量，大部分专业IC Foundry由于惧怕玷污设备而拒绝接受。因而第三种工艺方案应用而生，即美国密歇根大学的Post-CMOS MEMS工艺，特点是先按标准IC Foundry制作处理电路，再制作可动部件，其成本和成品率都能得到保证。