1、 向多层多晶硅的标准表面工艺发展。
由于机械结构的复杂性，仅采用单层结构往往不能制备出所需构件，多层化是表面硅MEMS工艺必然的发展趋势。美国的MUMPs是典型的民用标准表面工艺线，该工艺可以实现多达4层的牺牲层和多晶硅层，制造出复杂的MEMS器件，并定期发布更新的标准工艺文件，接受来自世界各地的按照标准工艺文件形成的MEMS设计。在一批工艺流水中包含数十种设计，通过这种方式提供廉价、迅速的MEMS表面加工服务。目前美国Sandia国家实验室开发的5层多晶硅表面硅MEMS集成工艺代表了这一方向的最高水平，它主要为军方的项目提供表面加工服务。
2、 向与CMOS集成的机电一体化技术发展。
相对体硅工艺，表面工艺由于保持了衬底的完整性，更容易与CMOS工艺兼容，美国的ADI公司推出的基于BiMOS工艺和表面加工技术的集成加速度计在汽车上获得了广泛应用，到2004年销售超过了1亿只。实现CMOS工艺与多层多晶硅工艺的兼容目前还是一个挑战，合理地安排工艺步骤、选择合适的金属化体系来保证成品率是突破该技术的关键问题。