产品需要经过六次光刻及腐蚀，分别是正面声孔区、背面腔孔区、正面二氧化硅、正面多晶硅、正面孔、正面铝。下面介绍在光刻及刻蚀工艺的改进方面。
（1）正面声孔区光刻：光刻胶选择方面，由于本次实验采用六氟化硫进行刻蚀，而普通的光刻胶抗蚀性差，另一方面，如果有细线条的话对光刻胶的腐蚀速率更大，所以选用耐腐蚀性强且分辨率较高的进口SPＲ6818 型光刻胶；此外，还调整了匀胶机的转速，优化涂胶程序，以满足显影精度的要求。
（2）正面声孔区腐蚀：由于六氟化硫对硅的腐蚀速率很快，要深槽腐蚀的时候，会出现侧蚀太大及扒胶的问题
（3）背面腔孔区：要注意对准标记要放在视场的中间位置进行对准曝光，越在中间对准精度越高，否则出现偏差。本次刻蚀可以留出背面腔孔释放区域图形，为以后的腔体释放做准备。
（4）通过光刻腐蚀正面二氧化硅、正面多晶硅、正面孔形成产品结构
（5）正面铝光刻：刻蚀的目的是做出电容极板的电极，该引线槽较深，因此应加大涂胶量。也应加大曝光量，并采取二次曝光。